PSP用parade battery降級v1.5方法

任何普通電池都可以變成超級電池，用來給任何現在市面上的PSP降級。電玩巴士完全測試成功。

　　測 試中發現使用某些記憶棒完成刷機所有操作後，機器無法啟動黑屏，這些有問題的記憶棒不是單指組棒，原裝棒一樣會出現(原因還未找到)，刷機失敗也不要擔 心，因為只要有電池和記憶棒就能反覆刷機，所以只要能進入刷機菜單就不存在磚頭，當你刷機失敗後，請換個記憶棒重新製作記憶棒和電池，再刷一次。
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　　PANDORA'S BATTERY
　　　　潘多拉的電池
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一個通用反變磚/降級程序－潘多拉項目發佈，這個項目是由著名的Team C+D小組完成。

準備：
- 普通原裝PSP電池，注意最好準備兩塊(一塊備用啟動PSP)。(第三方生產電池可以，但是便宜的組電不行)
- 一個容量大於32MB的普通Memory Stick Pro Duo記憶棒(4G不可以，8G可以，組棒也可以)
- 一個擁有1.5核心系統的PSP(1.5核心系統包括以下系統： OE、M33 、WC、1.5)

安裝：

1- 解壓縮下載到的傻瓜包

2- 連接你的PSP和電腦，並且保證PSP內有前面準備的記憶棒。

3- 在PSP上格式化記憶棒，進入「系統設定(System setting)」，選擇「格式化記憶棒(Format Memory Stick)」。

4- 然後在電腦上DOS窗口用下載到的壓縮包內的mspformat文件夾內的mspformat.exe格式化記憶棒，在這一步我們為了輸入方便，把mspformat.exe文件複製到電腦C盤的根目錄下，以下都以這樣的方式作講解。

確認電腦和PSP通過USB數據線相連，且PSP打開USB模式，然後回到電腦按下圖操作進入「運行」

在窗口內輸入cmd

進入DOS窗口後可能不在根目錄，你需要輸入cd\然後按回車，就到了根目錄C:\>

因為我們前面已經把mspformat.exe複製到了C盤，所以直接在根目錄C:\>下輸入mspformat.exe i 後按回車

注意i代表記憶棒的盤符

出現Drive succesfully formatted,and partition moved.就表示格式化成功，進行下一步驟，否則請重新操作。

5- 然後關閉USB連接，關閉且重新啟動PSP，再開啟usb與電腦連接，這時在電腦上查看記憶棒內已經沒有任何內容(格式化後這步操作很重要，沒有完成此操作將導致後續步驟黑屏死機)。

6- 把壓縮包內的PSP文件夾複製到記憶棒根目錄，再把傻瓜包內UPDATE.PBP複製到記憶棒根目錄

7- 關閉USB連接，回到PSP系統，在PSP系統上運行Pandora's Battery Firm. Installer(如果運行後黑屏死機請檢查第4-5步；如果開機黑屏後記憶棒無法識別，請找一台有自製系統的PSP，插入這個記憶棒，按住R開機進入恢復模式，然後用USB把PSP和電腦連接，打開USB連接Toggle USB，在電腦上把記憶棒格式化一遍，或者找台Sony的數碼相機/DV把記憶棒插入，用相機格式化一遍，記憶棒就恢復正常了，然後從第1步重新做一遍。

　進入程序後在下圖畫面按X，這個程序將在記憶棒根目錄下生成固件文件夾和一個msipl.bin文件。

　　生成文件成功後出現Done with success,auto-exiting in 10 seconds.表示成功且10秒後自動退出。

8- 連接PSP和電腦，開啟USB。

9- 然後在電腦上的DOS窗口運行壓縮包內的msinst文件夾下的msinst.exe，通過這個程序把msipl.bin文件的IPL寫入到記憶棒內某個特殊區域(具體操作方法與第4步相同)。

在C:\>下輸入msinst.exe i i:\msipl.bin後按回車，就會看到下圖畫面

10- 再次斷開USB，回到PSP系統。
11- 在PSP系統內執行Pandora's Battery Creator程序，這個程序將修改你的電池把它變成能降級的電池。

運行程序後，出現下圖菜單：

Current serial原電池序號：0x12345678(根據每個人電池不同號碼有所不同)

按X---------刷寫成降級用潘多拉電池(神奇電池)
按口--------恢復成普通電池
按O---------恢復成普通電池(自動供電模式)
按三角-----備份電池內信息文件eeprom.bin到記憶棒根目錄
按L+R-----從記憶棒根目錄把電池內信息文件eeprom.bin刷回電池
按HOME-什麼都不運行，退出程序

Writing serial 0xFFFFFFFF. 寫入後的電池序號

執行程序後，你將看到讓你選擇把電池轉換為不同模式的，我們需要按X修改電池，完成後會自動退出。

12- 完成上面操作後祝賀你你擁有 "Magic Memory Stick"記憶棒和"JigKick Battery"神奇電池(潘多拉)。

用法：

注意必須同時使用上面製作的記憶棒和電池才能恢復磚頭或者降級。

- 把前面製作好的記憶棒放入你要降級的PSP

- 然後不要插電源，把前面製作好的電池放入PSP，保證電池內有超過50%的電量，不足時請充電，放入電池後，機器的所有燈將都會亮同時會自動啟動，不能啟動可能是電量不足或需要手動開啟PSP電源。

- 這時PSP屏幕上就會出現一個菜單，按照菜單提示操作：
第一項是按X降級到1.5。
第二項是按O備份nand內文件到記憶棒根目錄nand-dump.bin。
第三項是按口從記憶棒根目錄恢復nand-dump.bin文件到PSP的nand內。(恢復時需要把nand-dump.bin重命名為為nandimage.flash)

按X開始解包固件文件

下面畫面就是開始刷寫1.5固件確認菜單，按X確認開始刷機


　到達100%完成後，按X自動關閉PSP電源，重新啟動PSP，恭喜你這時你將得到的是1.5系統的PSP

Q：神奇電池如何使用？
A：需製作好的記憶棒配合，將電池放入電池倉後無需任何操作，讀取一小段時間後自動進入刷機界面。

Q：神奇電池刷寫是不可逆的嗎？
A：不是。神奇電池可以刷回普通電池（在電池刷寫程序界面按口鍵），刷回的電池使用無任何問題。

Q：這個過程中有風險嗎？或者說PSP刷失敗會怎麼樣？
A：基本上每風險，難度在製作電池和記憶棒，只要製作成功，可以對機器反覆刷，直到你覺得爽了。

Q：神奇電池如何充電？
A：和普通電池一樣。

Q：記憶棒會受損嗎？
A：不會，可以正常使用

注意事項和使用限制

- Memory Stick 中的固件並不是完整的 1.50 固件，而是一個最小化版本。因
此，並不是所有的應用程序（如 flashers 或恢復程序）都可以加載。
- 只兼容 Memory Stick Pro Duo。Memory Stick Duo（如 32MB 卡）不支持。
- IDStorage 無法完全恢復，因為沒有已知的辦法能重新正確生成。
- 強烈建議在做任何降級操作之前備份現有的 flash。
- 在降級的最後，可能會出現 BSOD。這是正常顯現，標準降級程序也會出現類
似的情況。
- 至今為止的所有硬件版本均支持。
- 本發佈不包含任何 Sony 版權所有的內容。所需的 Sony 數據僅由 1.50 升
級程序生成得到。

製作者名單
- 請不要修改或移除製作者名單... ;)
- 所有工作由 Prometheus(C+D) 小組完成：

Adrahil (VoidPointer)
Booster
Cswindle (Caretaker)
Dark_AleX (Malyot)
Ditlew
Fanjita (FullerMonty)
Joek2100 (CosmicOverSoul)
Jim
Mathieulh (WiseFellow)
Nem (h1ckeyph0rce)
Psp250
Skylark
TyRaNiD (bockscar)

- 感謝所有為 PSPSDK 作出貢獻的人，沒有它，什麼也不會變成可能。

PECL/LVDS介面電路

圖1：PECL/LVPECL到LVDS的介面電路。

低電壓差分訊號(LVDS)在對訊號完整性、低抖動及共模特性要求較高的系統中得到了廣泛的應用。本文針對LVDS與其他幾種介面標準之間的連接，對幾種典型的LVDS介面電路進行了討論。

如今對高速數據傳輸的需求正推動著介面技術向高速、串列、差分、低功耗以及點對點介面的方向發展，而低電壓差分訊號(LVDS)具備所有這些特性。Pericom半導體公司可提供多種LVDS驅動器、接收器以及時脈分配緩衝器晶片。

本文將討論LVDS與正射極耦合邏輯(PECL)、低電壓正射極耦合邏輯(LVPECL)、電路模式邏輯(CML)、RS-422以及單端元件之間採用電阻網路的介面電路設計。

圖2：調整電路，R1＝(VR1＋R1a) ，R2＝(VR2＋R2a)，R3＝(VR3＋R3a)。

因為各廠商所提供的驅動器與接收器的結構不一樣，所以本文提供的電路僅供設計時參考。設計者需要對電路進行驗證，並調節電路中的電阻和電容值以獲得最佳性能。

電阻分壓器的計算

表1列出了本文所採用的不同介面標準的工作電壓。為使PECL和LVPECL介面標準能與Pericom公司的LVDS元件進行連接，採用電阻分壓器在不同電壓之間切換。

圖3：PECL到LVDS的介面電路。

圖1所示的介面電路採用由電阻R1、R2和R3組成的電阻分壓器。R1、R2與R3的電阻值計算如下：

R1||(R2＋R3)＝Z

[(R2＋R3)/(R1＋R2＋R3)]＝Va/Vcc

R3/(R1＋R2＋R3)＝Vb/Vcc

其中：

Va為SEPC或LVPECL的偏置電壓Vos，分別為3.6V和2.0V；

Vb為LVDS的偏置電壓Vos，等於1.2V；

圖4：LVDS到PECL的介面電路。

Z為線路阻抗，等於50Ω。

Vb上的增益G為：

G＝R3/(R2＋R3)

Vb上的擺幅為：

Vbs＝Vas×G

其中：

圖5：LVPECL到LVDS的介面電路。

Vas為Va上的擺幅；

Vbs為Vb上的擺幅。

由於在計算中沒有考慮驅動器的輸出阻抗，所以在實際應用設計中，R1、R2及R3的電阻值與上述計算的結果不一樣。另外，不同廠家的驅動器的輸出結構和阻抗不一樣，因此R1、R2及R3的電阻值也是不同的。

可以透過三種方法算出電阻值。

1.經驗法

圖6：LVDS到LVPECL的介面電路。

利用表2列出的電阻參考值，並根據後面介紹的方法2及方法3來調節這些值。介面設計者應透過測量Va和Vb上的偏置電壓Vos以及擺幅Vpp來驗證實際應用設計電路。

2.模擬工具法

從廠商獲得驅動器的IBIS模型，並針對R1、R2及R3的電阻值對介面電路進行模擬。如果IBIS模型和模擬工具都很精確，則電路模擬將提供準確的R1、R2及R3的電阻值，然後透過測量實際電路來驗證模擬得到的電阻值。

3.實際調節法

圖7：採用二極體的LVDS到LVPECL的介面電路。

採用圖2所示的電路調節R1、R2及R3的電阻值。電阻R1a、R2a及R3a用來限制調節範圍，以避免出現過載電流。當調節電路並用示波器監視Va與Vb上的訊號時，調節VR1、VR2與VR3：

a. 對於Pericom公司的LVDS接收器，Vb上的Vos(在擺幅範圍中間的平均電壓)應介於0.8V－1.6V之間。有關Va上的Vos，請查閱驅動器參數。

b. 對於Pericom公司的接收器，Vb上的擺動範圍應介於350mV－550mV之間。有關Va上的擺幅，請參見驅動器規範，Va上的擺幅可能低於驅動器規範以便滿足Vb上的擺幅要求。

圖8：CML到LVDS的介面電路。

c. 電路調節完以後，再測量VR1與R1a，得到R1的電阻值；測量VR2與R2a，得到R2的電阻值；測量VR3與R3a，得到R3的電阻值。

d. 用較低頻率的訊號對電路進行調節會更加簡單，頻率最好介於100kHz-10MHz之間，但請確認電路是否在正常頻率下工作，如果需要的話可再次調節。

介面電路的限制

圖9：LVDS到CML的介面電路。

由於介面電路增加了的額外電容與電阻網路，因此介面電路的最高工作頻率將低於元件手冊上提供的最高頻率。驅動器與接收器之間的走線長度也有限制，走線長度取決於頻率，當頻率為66MHz時，估計最大走線長度為14英吋，頻率為320MHz時則為2英吋。

走線長度是一個實際問題且取決於實際設計。為減少寄生電容、電感及訊號反射以獲得更高性能，介面電路中元件之間的走線應盡量短，越短越好。介面電路使用的電容、電阻以及二極體必須為短引腳的高速元件，而且最好採用晶片型封裝。

參考介面電路

圖3至圖12給出了LVDS與PECL、LVPECL、CML、RS-422及單端元件之間的介面電路，它們的調節方法以及電路限制如前所述。

1. LVDS至PECL

圖10：RS-422到LVDS的介面電路。

在圖4所示的LVDS到PECL的介面電路裡，PECL接收器沒有內部上拉電阻。該電路中的電阻值僅適用於Pericom公司的 LVDS驅動器。由於採用交流耦合，這個介面只能通過交流訊號，因此從驅動器傳輸到接收器的訊號必須適合交流耦合。當電容C1與C2為0.1uf時，任何 訊號狀態轉換(由高至低或由低至高)之間的最大時間間隔為500ns。

2. LVDS到LVPECL

圖11：單端訊號到LVDS的介面電路。

在圖6所示的LVDS到LVPECL的介面電路裡，電阻值也僅適用於Pericom公司的LVDS驅動器，這裡的LVPECL接收器沒有內部上拉電阻。

圖7中，二極體D1、D2、D3和D4在Va與Vb之間產生0.7V的電壓差，且其擺幅衰減低於圖6電路中的擺幅衰減。這個 電路應採用正向壓降為0.7V的高速二極體，晶片型二極體最好。電路中的電阻值適用於Pericom公司的LVDS驅動器，LVPECL接收器沒有上拉電 阻。

3. CML到LVDS

圖12：5V單端訊號到LVDS的介面電路。

圖8介面電路採用交流耦合，只能通過交流訊號，因此從驅動器傳輸到接收器的訊號必須適合交流耦合。當電容C1與C2為0.1uf時，任何訊號狀態轉換(由高至低或由低至高)之間的最大時間間隔為500ns。

圖9電路中的電阻值適用於Pericom公司的LVDS驅動器，CML接收器帶有50Ω的內部上拉電阻。由於採用交流耦合， 故它僅能通過交流訊號，因此從驅動器傳輸至接收器的訊號必須適合交流耦合。當電容C1與C2值為0.1uf時，任何訊號狀態轉換(由高至低或由低至高)之 間的最大時間間隔為500ns。

表1：LVDS、PECL、LVPECL、 CML和RS-422介面的電壓規範。

4. 單端訊號到LVDS

當單端CMOS驅動器與Pericom公司的LVDS接收器連接時，可採用圖11中的電路以及表3中的參數，同時使由R_out和R_termination構成的輸出阻抗與50Ω的走線阻抗相匹配，即：

R_out＋R_termination＝Z＝50Ω

表2：R1、R2和R3的參考值。

例如，如果驅動器的輸出阻抗為20Ω，則應該採用30Ω的R_termination，於是有：

20Ω＋30Ω＝50Ω

在圖12中，根據Vb上的訊號品質，R_termination的阻值介於0－22Ω之間。如果Vb上有過衝和下衝，則增加R_termination的阻值；如果Vb上的訊號邊沿有衰減，則減小R_termination的阻值。

本文小結

表3：適合Pericom公司接收器的R1、R2和Va值。